0.8μm 1P2M CMOS工艺平台。0.8微米栅长, 单层多晶，双层金属. 应用于LED电路驱动，工作电压5伏。具有详尽的设计规则。
1) 工艺特性
? ? 0.8微米CMOS，单多晶，两层金属，双阱工艺。
? ? 工作电压5伏。
? ? 衬底材料为N型、<100>晶向、4~7欧姆.厘米。
? ? 11块掩模版，12个光刻层。
? ? 可提供N型只读掩模代码。
? ? 标准的局部氧化隔离工艺。
? ? 栅氧厚度为200埃，采用多晶硅栅极。
? ? N/P型轻掺杂漏区和侧壁结构。
? ? 钛/氮化钛/铝硅铜/氮化钛结构的互连层。
? ? 氧化硅/氮化硅结构的钝化层。
? ? IMD 平坦化工艺。
2) 典型应用
? ? DC-AC 转换
? ? 电源管理芯片
? ? 充电器管理IC
? ? LED电路驱动