RF LDMOS具有频率高、功率容量大、线形度好、效率高等突出优势。FMIC拥有成熟的28V RF LDMOS工艺，频率涵盖400MHZ~2700MHZ。
1) 工艺特性
? 背面源技术
? 厚氧隔离工艺
? Multi-RESURF 技术
? 超低的栅极电阻
? 屏蔽环工艺
? 厚铝工艺
2) 典型应用
? RF功率放大器
? HF、VHF和UHF广播传输器
? 微波雷达与导航系统
? CDMA、W-CDMA、TETRA、数字地面电视
RF LDMOS具有频率高、功率容量大、线形度好、效率高等突出优势。FMIC拥有成熟的28V RF LDMOS工艺，频率涵盖400MHZ~2700MHZ。
1) 工艺特性
? 背面源技术
? 厚氧隔离工艺
? Multi-RESURF 技术
? 超低的栅极电阻
? 屏蔽环工艺
? 厚铝工艺
2) 典型应用
? RF功率放大器
? HF、VHF和UHF广播传输器
? 微波雷达与导航系统
? CDMA、W-CDMA、TETRA、数字地面电视