Power Discrete Device

       45V～200V MOS SBD具有低漏电流，低开启电压，高性能及低成本，可完全替代目前庞大的传统低压肖特基市场, FMIC具有此类产品自行设计研发能力。

1)    工艺特性

?  0.5um MOS肖特基技术

?  4层光刻工艺

?  低电阻率外延硅材料

?  PN结和肖特基混合式二极管

?  低功耗

?  超高速

2)    典型应用

?  MB（主机板），Mobile，低电压电子产品整流器

?  PC、NB电源供应，电子充电器

?  LCD TV、交流转直流整流器