GaN 200V enhanced MOSFET是方正微电子的GaN工艺平台，主要应用于汽车电子的电源管理，具有高效率、高温度工作区间和低通态电阻特性，并能够提供完整的设计服务。
1) 工艺特性
? 高性能硅基氮化镓技术
? 常态下关闭器件
? 栅极工作电压与硅器件相当：+/‐10V,+/‐15V等
? Vgs可依照硅场效应管，高到足以避免C*dV/dt引起的打开
? 反向并联二极管功能包括：反向恢复损耗低于硅器件
? 栅极电荷低
? 超低的导通电阻
? 工作温度可达250°C
? 开关速度快
2) 典型应用
? RF
? 马达
? 光电转换器